中低壓溝槽MOSFET

技術(shù)介紹

功率半導(dǎo)體低壓溝槽場效應(yīng)晶體管(Trench MOSFET)由早期的平面柵場效應(yīng)管經(jīng)過一系列演變而來， 其將水平導(dǎo)電溝道改進(jìn)為垂直導(dǎo)電溝道，使進(jìn)一步縮小單位元胞面積成為可能。同時(shí)采用低摻雜的外延層提供足夠的耐壓，通過改變外延層的摻雜濃度和厚度可以方便的獲得各種不同耐壓的器件。在保證器件擊穿電壓符合需求的基礎(chǔ)上，溝槽功率器件的一個(gè)重要發(fā)展趨勢就是把單個(gè)原胞尺寸愈做愈小，原胞密度越來越高，從而有利于降低單位面積導(dǎo)通電阻。
龍騰中低壓溝槽MOSFET產(chǎn)品系列*，產(chǎn)品電壓涵蓋N/P 20V~100V,優(yōu)化的器件設(shè)計(jì)及工藝，在同類型產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域具有單位面積導(dǎo)通電阻小，寄生電容小，雪崩能量高等優(yōu)勢。針對不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ζ骷阅艿男枨筇攸c(diǎn)采用不同的設(shè)計(jì)方案，使器件在各自應(yīng)用 。