中低壓溝槽MOSFET

技術介紹

功率半導體低壓溝槽場效應晶體管(Trench MOSFET)由早期的平面柵場效應管經(jīng)過一系列演變而來， 其將水平導電溝道改進為垂直導電溝道，使進一步縮小單位元胞面積成為可能。同時采用低摻雜的外延層提供足夠的耐壓，通過改變外延層的摻雜濃度和厚度可以方便的獲得各種不同耐壓的器件。在保證器件擊穿電壓符合需求的基礎上，溝槽功率器件的一個重要發(fā)展趨勢就是把單個原胞尺寸愈做愈小，原胞密度越來越高，從而有利于降低單位面積導通電阻。
龍騰中低壓溝槽MOSFET產(chǎn)品系列*，產(chǎn)品電壓涵蓋N/P 20V~100V,優(yōu)化的器件設計及工藝，在同類型產(chǎn)品應用領域具有單位面積導通電阻小，寄生電容小，雪崩能量高等優(yōu)勢。針對不同應用領域對器件性能的需求特點采用不同的設計方案，使器件在各自應用 。