中低壓SGT MOSFET

技術介紹

屏藏柵溝槽MOSFET (Shielded Gate Trench MOSFET,縮寫SGT-MOSFET)功率器件是基于傳統溝槽式 MOSFET(U- MOSFET)的一種改進型溝情式功率MOSFET,通過多晶硅場板的引入，顯著地降低了米勒電客Codo 同時依靠厚氧化層的電荷感成效成，在傳統Trench MOSFET垂直耗盡(p-body/n-epl結)基礎上引入水平耗盡，在深Trench底部引入一個新的電場尖峰，由此將漂移區電場由三角形分布改變為近似矩形分布，在實現同樣的擊穿電壓時降低了漂移區電阻，從而是著降低了器件的單位面積導通電阻。
龍騰SGT系列產品利用自有技術，采用優化的溝槽屏蔽柵設計及工藝制造技術，產品具有營崩耐量高及優 化的EMI特性。產品電壓涵蓋30V-200V, 覆蓋各種應用領域。