產品簡介
技術參數品牌：Onsemi型號：FCP190N60批號：21+封裝：N/A數量：1000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：650VId-連續漏極電流：20
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | Onsemi |
| 型號： | FCP190N60 |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | N/A |
| 數量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 650 V |
| Id-連續漏極電流： | 20.2 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 199 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 208 W |
| 配置： | Single |
| 商標名： | SuperFET II |
| 封裝： | Tube |
| 高度： | 16.3 mm |
| 長度： | 10.67 mm |
| 系列： | FCP190N60 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 4.7 mm |
| 商標： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 產品類型： | MOSFET |
| 工廠包裝數量： | 800 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 單位重量： | 1.800 g |
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