產品簡介
技術參數品牌：ST型號：STF15NM65N批號：20+封裝：原廠封裝數量：60000QQ：制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：650VId-連續漏極電流：15
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ST |
| 型號： | STF15NM65N |
| 批號： | 20+ |
| 封裝： | 原廠封裝 |
| 數量： | 60000 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-220-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 650 V |
| Id-連續漏極電流： | 15.5 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 270 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 25 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 35 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | STF15NM65N |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 下降時間： | 26 ns |
| 上升時間： | 8 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 80 ns |
| 典型接通延遲時間： | 25 ns |
| 單位重量： | 330 mg |
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