產品簡介
技術參數品牌：ON/安森美型號：FDMA1032CZ批號：21+封裝：原廠封裝數量：9000QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：MicroFET-6通道數量：2Channel晶體管極性：N-Channel,P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：20VId-連續漏極電流：3
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | FDMA1032CZ |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | 原廠封裝 |
| 數量： | 9000 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | MicroFET-6 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 20 V |
| Id-連續漏極電流： | 3.7 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 37 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 12 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.4 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 0.75 mm |
| 長度： | 2 mm |
| 系列： | FDMA1032CZ |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 寬度： | 2 mm |
| 正向跨導 - 最小值： | 16 S, - 11 S |
| 下降時間： | 8 ns, 11 ns |
| 上升時間： | 8 ns, 11 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 14 ns, 37 ns |
| 典型接通延遲時間： | 8 ns, 13 ns |
| 單位重量： | 40 mg |
- 上一篇： TI/德州儀器 OPA627 原廠封裝 21+
- 下一篇： SAGAMI C1608CB-R10J 原廠封裝 21+
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。