產品簡介
技術參數品牌：ON型號：FDD3510H批號：1920封裝：TO-252-5數量：32500QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：TO-252-5通道數量：2Channel晶體管極性：N-Channel,P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：80VId-連續漏極電流：4
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | FDD3510H |
| 批號： | 1920 |
| 封裝： | TO-252-5 |
| 數量： | 32500 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-5 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 80 V |
| Id-連續漏極電流： | 4.3 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 80 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 3.1 W |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 2.39 mm |
| 長度： | 6.73 mm |
| 系列： | FDD3510H |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 寬度： | 6.22 mm |
| 下降時間： | 2 ns, 5 ns |
| 上升時間： | 2 ns, 3 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 16 ns, 25 ns |
| 典型接通延遲時間： | 7 ns, 6 ns |
| 單位重量： | 260.370 mg |
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