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深圳市共強(qiáng)科技有限公司

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ON 電源負(fù)載開關(guān)（路徑管理） NTGD1100LT1G MOSFET 8V +/-3.3A P-Channel w/Level Shift

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：NTGD1100LT1G
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：整流二極管
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-10-30 19:43:59
  • 瀏覽次數(shù)：5
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  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：957條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時(shí)間：2023-10-30
  • 最近登錄：2023-10-30
  • 聯(lián)系人：周先生
  • 電    話：15012463773

產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：ON型號：NTGD1100LT1G批號：20+封裝：TSOP-6數(shù)量：23900QQ：制造商：ONSemiconductor產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是安裝風(fēng)格：SMD/SMT封裝/箱體：TSOP-6通道數(shù)量：2Channel晶體管極性：N-Channel,P-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：8VId-連續(xù)漏極電流：3

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON
型號：NTGD1100LT1G
批號：20+
封裝：TSOP-6
數(shù)量：23900
QQ：
制造商：ON Semiconductor
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：TSOP-6
通道數(shù)量：2 Channel
晶體管極性：N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：8 V
Id-連續(xù)漏極電流：3.3 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：55 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：600 mV
最小工作溫度：- 55 C
工作溫度：+ 150 C
Pd-功率耗散：830 mW
配置：Dual
通道模式：Enhancement
高度：0.94 mm
長度：3 mm
系列：NTGD1100L
晶體管類型：1 N-Channel, 1 P-Channel
寬度：1.5 mm
單位重量：20 mg
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