技術(shù)參數(shù)
| 品牌： | ON SEMICONDUCTOR |
| 型號(hào)： | NVTJD4001NT1G |
| 數(shù)量： | 5000 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產(chǎn)品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風(fēng)格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-363-6 |
| 通道數(shù)量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 30 V |
| Id-連續(xù)漏極電流： | 250 mA |
| Rds On-漏源導(dǎo)通電阻： | 1.5 Ohms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 4 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 800 mV |
| Qg-柵極電荷： | 0.9 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 272 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 資格： | AEC-Q101 |
| 系列： | NTJD4001N |
| 晶體管類型： | 2 N-Channel |
| 正向跨導(dǎo) - 最小值： | 80 mS |
| 下降時(shí)間： | 82 ns |
| 上升時(shí)間： | 23 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間： | 94 ns |
| 典型接通延遲時(shí)間： | 17 ns |
| 單位重量： | 7.500 mg |
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