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SI6913DQ-T1-GE3 場(chǎng)效應(yīng)管 VISHAY/威世 封裝21+ 批次NA

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：SI6913DQ-T1-GE3
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類(lèi)別：沖壓加工
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-10-27 11:01:27
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  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1053條
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：VISHAY/威世型號(hào)：SI6913DQ-T1-GE3封裝：21+批次：NA數(shù)量：5000類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FET

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：VISHAY/威世
型號(hào)：SI6913DQ-T1-GE3
封裝：21+
批次：NA
數(shù)量：5000
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
制造商：Vishay Siliconix
系列：TrenchFET®
FET 類(lèi)型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源電壓（Vdss）：12V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：4.9A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（值）：21 毫歐 @ 5.8A，4.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（值）：900mV @ 400µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（值）：28nC @ 4.5V
功率 - 值：830mW
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
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