產品簡介
技術參數品牌：ON/安森美型號：NTLJD3119CTBG批號：19+封裝：NA數量：478QQ：制造商：ONSemiconductor產品種類：MOSFETRoHS：是技術：Si安裝風格：SMD/SMT封裝/箱體：WDFN-6通道數量：2Channel晶體管極性：N-Channel
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型號： | NTLJD3119CTBG |
| 批號： | 19+ |
| 封裝： | NA |
| 數量： | 478 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | WDFN-6 |
| 通道數量： | 2 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel, P-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 21 V, 20 V |
| Id-連續漏極電流： | 3.8 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 100 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 8 V |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 710 mW |
| 配置： | Dual |
| 通道模式： | Enhancement |
| 封裝： | Cut Tape |
| 封裝： | MouseReel |
| 封裝： | Reel |
| 高度： | 0.75 mm |
| 長度： | 2 mm |
| 產品： | MOSFET Small Signal |
| 系列： | NTLJD3119C |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| 類型： | MOSFET |
| 寬度： | 2 mm |
| 商標： | ON Semiconductor |
| 正向跨導 - 最小值： | 4.2 S, 3.1 S |
| 下降時間： | 4.7 ns, 13.2 ns |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 4.7 ns, 13.2 ns |
| 工廠包裝數量： | 3000 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 11.1 ns, 13.7 ns |
| 典型接通延遲時間： | 3.8 ns, 5.2 ns |
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