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深圳市廣鑫世紀(jì)電子有限公司

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當(dāng)前位置：深圳市廣鑫世紀(jì)電子有限公司>> FDS4559ON/安森美 場(chǎng)效應(yīng)管 FDS4559 MOSFET - 陣列 N 和 P 溝道 60V 4.5A，3.5A 1W 表面貼裝型 8-SOIC

ON/安森美 場(chǎng)效應(yīng)管 FDS4559 MOSFET - 陣列 N 和 P 溝道 60V 4.5A，3.5A 1W 表面貼裝型 8-SOIC

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：FDS4559
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-10-17 07:15:34
  • 瀏覽次數(shù)：10
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  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1039條
  • 所在地區(qū)：
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：ON/安森美型號(hào)：FDS4559批號(hào)：19+封裝：NA數(shù)量：2500QQ：制造商：ONSemiconductor系列：PowerTrench®FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源電壓（Vdss）：60V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：4.5A

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ON/安森美
型號(hào)：FDS4559
批號(hào)：19+
封裝：NA
數(shù)量：2500
QQ：
制造商：ON Semiconductor
系列：PowerTrench®
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）：60V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：4.5A，3.5A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（值）：55 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（值）：18nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（值）：650pF @ 25V
功率 - 值：1W
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC
基本產(chǎn)品編號(hào)：FDS45
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