產品簡介
技術參數品牌:ON/安森美型號:NTGD3148NT1G批號:19+封裝:NA數量:9000QQ:制造商:ONSemiconductor產品種類:MOSFETRoHS:是技術:Si安裝風格:SMD/SMT封裝/箱體:TSOP-6晶體管極性:N-Channel通道數量:2ChannelVds-漏源極擊穿電壓:20VId-連續漏極電流:3
詳情介紹

技術參數
| 品牌: | ON/安森美 |
| 型號: | NTGD3148NT1G |
| 批號: | 19+ |
| 封裝: | NA |
| 數量: | 9000 |
| QQ: | |
| 制造商: | ON Semiconductor |
| 產品種類: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 技術: | Si |
| 安裝風格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | TSOP-6 |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| 通道數量: | 2 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 20 V |
| Id-連續漏極電流: | 3.5 A |
| Rds On-漏源導通電阻: | 70 mOhms, 70 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | - 12 V, + 12 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 500 mV |
| Qg-柵極電荷: | 3.8 nC |
| 最小工作溫度: | - 50 C |
| 工作溫度: | + 150 C |
| Pd-功率耗散: | 1.1 W |
| 通道模式: | Enhancement |
| 封裝: | Cut Tape |
| 封裝: | MouseReel |
| 封裝: | Reel |
| 配置: | Dual |
| 高度: | 0.94 mm |
| 長度: | 3 mm |
| 產品: | MOSFET Small Signal |
| 晶體管類型: | 2 N-Channel |
| 類型: | Power Trench MOSFET |
| 寬度: | 1.5 mm |
| 商標: | ON Semiconductor |
| 正向跨導 - 最小值: | 6.2 S, 6.2 S |
| 下降時間: | 1.6 ns, 1.6 ns |
| 產品類型: | MOSFET |
| 上升時間: | 11.2 ns, 11.2 ns |
| 工廠包裝數量: | 3000 |
| 子類別: | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間: | 12.8 ns, 12.8 ns |
| 典型接通延遲時間: | 7.4 ns, 7.4 ns |
| 單位重量: | 20 mg |
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