技術參數
| 品牌： | ST |
| 型號： | PD57006 |
| 批號： | |
| 封裝： | |
| 數量： | 1000 |
| QQ： | |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Id-連續漏極電流： | 1 A |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 65 V |
| 工作頻率： | 1 GHz |
| 增益： | 15 dB |
| 輸出功率： | 6 W |
| 最小工作溫度： | - 65 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | PowerSO-10RF-Formed-4 |
| 配置： | Single |
| 高度： | 3.5 mm |
| 長度： | 7.5 mm |
| 系列： | PD57006 |
| 寬度： | 9.4 mm |
| 通道模式： | Enhancement |
| 濕度敏感性： | Yes |
| Pd-功率耗散： | 20 W |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 20 V |
| 單位重量： | 3 g |
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