產品簡介
技術參數品牌：IR型號：IRF7470PBF批號：封裝：數量：5000QQ：制造商：InfineonTechnologies系列：HEXFET®FET類型：N通道技術：MOSFET（金屬氧化物）25°C時電流-連續漏極(Id)：10A（Ta）驅動電壓（RdsOn
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | IR |
| 型號： | IRF7470PBF |
| 批號： |
| 封裝： |
| 數量： | 5000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 類型： | N 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 10A（Ta） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 2.8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 13 毫歐 @ 10A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 2V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±12V |
| 功率耗散（值）： | 2.5W（Ta） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | 8-SO |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154""，3.90mm 寬） |
| 漏源電壓（Vdss）： | 40V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 44nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 3430pF @ 20V |
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