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BSP75GQTA 電子元器件 DIODES/美臺 封裝SOT-223 批次21+

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產(chǎn)品型號:BSP75GQTA
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:其他集成電路
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2023-08-10 20:01:43
  • 瀏覽次數(shù):12
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其他

  • 經(jīng)營模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1018條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2023-08-10
  • 最近登錄:2023-08-10
  • 聯(lián)系人:吳小姐
  • 電    話:13715120919

產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌:DIODES/美臺型號:BSP75GQTA封裝:SOT-223批次:21+數(shù)量:6000制造商:DiodesIncorporated產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:是安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝/箱體:SOT-223-4晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60VId-連續(xù)漏極電流:1

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌:DIODES/美臺
型號:BSP75GQTA
封裝:SOT-223
批次:21+
數(shù)量:6000
制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-223-4
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:1.6 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:385 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:36 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
最小工作溫度:- 40 C
工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2.5 W
通道模式:Enhancement
資格:AEC-Q101
配置:Single
晶體管類型:1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間:13 us
典型接通延遲時間:2.2 us
單位重量:112 mg
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