產品簡介
技術參數品牌：CREE型號：CGH35030F批號：21+封裝：SMD數量：2000QQ：制造商：Cree,Inc
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | CREE |
| 型號： | CGH35030F |
| 批號： | 21+ |
| 封裝： | SMD |
| 數量： | 2000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Cree, Inc. |
| 產品種類： | 射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 |
| 晶體管類型： | HEMT |
| 技術： | GaN |
| 增益： | 12 dB |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 120 V |
| Vgs-柵源極擊穿電壓 ： | - 10 V, 2 V |
| Id-連續漏極電流： | 3 A |
| 輸出功率： | 30 W |
| 漏極/柵極電壓： | - |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 14 W |
| 安裝風格： | Flange Mount |
| 封裝 / 箱體： | 440166 |
| 應用： | General Purpose |
| 工作頻率： | 3.3 GHz to 3.9 GHz |
| 商標： | Cree, Inc. |
| 正向跨導 - 最小值： | - |
| 產品類型： | RF JFET Transistors |
| 工廠包裝數量： | 50 |
| 子類別： | Transistors |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | - 3 V |
- 上一篇： CREE CG2H80015D-GP4 SMD 21+
- 下一篇： CREE CGHV59350F SMD 21+
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。