
技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | NXP |
| 型號(hào): | MRF6V12250HSR5 |
| 批號(hào): | 20+ |
| 封裝: | |
| 數(shù)量: | 1000 |
| QQ: | |
| 制造商: | NXP |
| 產(chǎn)品種類(lèi): | 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 |
| RoHS: | 是 |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| 技術(shù): | Si |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 110 V |
| 增益: | 20.3 dB |
| 輸出功率: | 27.5 W |
| 工作溫度: | + 150 C |
| 安裝風(fēng)格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | NI-780S |
| 封裝: | Reel |
| 配置: | Single |
| 工作頻率: | 0.96 GHz to 1.215 GHz |
| 系列: | MRF6V12250H |
| 類(lèi)型: | RF Power MOSFET |
| 商標(biāo): | NXP Semiconductors |
| 產(chǎn)品類(lèi)型: | RF MOSFET Transistors |
| 工廠包裝數(shù)量: | 50 |
| 子類(lèi)別: | MOSFETs |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 2.4 V |
| 零件號(hào)別名: | |
| 單位重量: | 4.763 g |




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