產品簡介
技術參數品牌：ON型號：NTB25P06T4G批號：12+封裝：TO-263數量：50QQ：制造商：ONSemiconductorFET類型：P通道技術：MOSFET（金屬氧化物）25°C時電流-連續漏極(Id)：27.5A（Ta）驅動電壓（RdsOn
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ON |
| 型號： | NTB25P06T4G |
| 批號： | 12+ |
| 封裝： | TO-263 |
| 數量： | 50 |
| QQ： | |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| FET 類型： | P 通道 |
| 技術： | MOSFET（金屬氧化物） |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)： | 27.5A（Ta） |
| 驅動電壓（ Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（值）： | 82 毫歐 @ 25A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值）： | 4V @ 250µA |
| Vgs（值）： | ±15V |
| 功率耗散（值）： | 120W（Tj） |
| 工作溫度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安裝類型： | 表面貼裝型 |
| 供應商器件封裝： | D2PAK |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 漏源電壓（Vdss）： | 60 V |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值）： | 50 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值）： | 1680 pF @ 25 V |
| 基本產品編號： | NTB25 |
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