產品簡介
技術參數品牌:ON型號:NTD5802NT4G批號:13+封裝:TO-252數量:100QQ:制造商:ONSemiconductor產品種類:MOSFETRoHS:是安裝風格:SMD/SMT封裝/箱體:TO-252-3通道數量:1Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:40VId-連續漏極電流:101ARdsOn-漏源導通電阻:4
詳情介紹

技術參數
| 品牌: | ON |
| 型號: | NTD5802NT4G |
| 批號: | 13+ |
| 封裝: | TO-252 |
| 數量: | 100 |
| QQ: | |
| 制造商: | ON Semiconductor |
| 產品種類: | MOSFET |
| RoHS: | 是 |
| 安裝風格: | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體: | TO-252-3 |
| 通道數量: | 1 Channel |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓: | 40 V |
| Id-連續漏極電流: | 101 A |
| Rds On-漏源導通電阻: | 4.4 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓: | 20 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓: | 1.5 V |
| Qg-柵極電荷: | 75 nC |
| 最小工作溫度: | - 55 C |
| 工作溫度: | + 175 C |
| Pd-功率耗散: | 93.75 W |
| 配置: | Single |
| 通道模式: | Enhancement |
| 高度: | 2.38 mm |
| 長度: | 6.73 mm |
| 系列: | NTD5802N |
| 晶體管類型: | 1 N-Channel |
| 寬度: | 6.22 mm |
| 正向跨導 - 最小值: | 16.8 S |
| 下降時間: | 8.5 ns |
| 上升時間: | 52 ns |
| 典型關閉延遲時間: | 39 ns |
| 典型接通延遲時間: | 14 ns |
| 單位重量: | 4 g |
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