產品簡介
技術參數品牌：NXP型號：BFU660F,115封裝：N/A批次：22+數量：6000制造商：NXP產品種類：射頻(RF)雙極晶體管RoHS：是晶體管類型：Bipolar技術：Si晶體管極性：NPN直流集電極/BaseGainhfeMin：90集電極—發射極電壓VCEO：5
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | NXP |
| 型號： | BFU660F,115 |
| 封裝： | N/A |
| 批次： | 22+ |
| 數量： | 6000 |
| 制造商： | NXP |
| 產品種類： | 射頻(RF)雙極晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管類型： | Bipolar |
| 技術： | Si |
| 晶體管極性： | NPN |
| 直流集電極/Base Gain hfe Min： | 90 |
| 集電極—發射極電壓 VCEO： | 5.5 V |
| 發射極 - 基極電壓 VEBO： | 2.5 V |
| 集電極連續電流： | 30 mA |
| 工作溫度： | + 150 C |
| 配置： | Single |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | SOT-343F |
| 類型： | RF Bipolar Small Signal |
| 商標： | NXP Semiconductors |
| 增益帶寬產品fT： | 21 GHz |
| Pd-功率耗散： | 225 mW |
| 產品類型： | RF Bipolar Transistors |
| 工廠包裝數量： | 3000 |
| 子類別： | Transistors |
| 零件號別名： | |
| 單位重量： | 6.665 mg |
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