| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特點(diǎn) | Standard |
| 漏極至源極電壓（VDSS） | 55V |
| 電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C | 75A |
| Rds（）@ ID，VGS | 6.5 mOhm @ 66A, 10V |
| VGS（TH）（）@ Id | 4V @ 250µA |
| 柵極電荷（Qg）@ VGS | 110nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）@ Vds的 | 3450pF @ 25V |
| 功率 - | 170W |
| 安裝類(lèi)型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK |
| 包裝材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包裝 | 3D2PAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源電壓 | 55 V |
| 連續(xù)漏極電流 | 110 A |
| RDS -于 | 6.5@10V mOhm |
| 門(mén)源電壓 | ±20 V |
| 典型導(dǎo)通延遲時(shí)間 | 18 ns |
| 典型上升時(shí)間 | 95 ns |
| 典型關(guān)閉延遲時(shí)間 | 45 ns |
| 典型下降時(shí)間 | 67 ns |
| 工作溫度 | -55 to 175 °C |
| 安裝 | Surface Mount |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | Tape & Reel |
| 門(mén)源電壓 | ±20 |
| 歐盟RoHS指令 | Compliant |
| 工作溫度 | 175 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱(chēng) | D2PAK |
| 工作溫度 | -55 |
| 渠道類(lèi)型 | N |
| 封裝 | Tape and Reel |
| 漏源電阻 | 6.5@10V |
| 漏源電壓 | 55 |
| 每個(gè)芯片的元件數(shù) | 1 |
| 供應(yīng)商封裝形式 | D2PAK |
| 功率耗散 | 170000 |
| 連續(xù)漏極電流 | 110 |
| 引腳數(shù) | 3 |
| 鉛形狀 | Gull-wing |
| FET特點(diǎn) | Standard |
| 安裝類(lèi)型 | Surface Mount |
| 電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C | 75A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 55V |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝 | D2PAK |
| 開(kāi)態(tài)Rds（）@ Id ，V GS | 6.5 mOhm @ 66A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 170W |
| 輸入電容（Ciss ） @ VDS | 3450pF @ 25V |
| 閘電荷（Qg ） @ VGS | 110nC @ 10V |
| 封裝/外殼 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名稱(chēng) | IRF3205ZSTRLPBFCT |
| 工廠包裝數(shù)量 | 800 |
| 配置 | Single |
| 晶體管極性 | N-Channel |
| 連續(xù)漏極電流 | 110 A |
| 正向跨導(dǎo) - 閔 | 71 S |
| 安裝風(fēng)格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 6.5 mOhms |
| 功率耗散 | 170 W |
| 封裝/外殼 | D2PAK |
| 柵極電荷Qg | 110 nC |
| 上升時(shí)間 | 95 ns |
| 工作溫度 | + 175 C |
| 漏源擊穿電壓 | 55 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降時(shí)間 | 67 ns |
| 漏極電流（值） | 110 A |
| 頻率（） | Not Required MHz |
| 柵源電壓（值） | ?20 V |
| 輸出功率（） | Not Required W |
| 噪聲系數(shù) | Not Required dB |
| 漏源導(dǎo)通電阻 | 0.0065 ohm |
| 工作溫度范圍 | -55C to 175C |
| 包裝類(lèi)型 | D2PAK |
| 極性 | N |
| 類(lèi)型 | Power MOSFET |
| 元件數(shù) | 1 |
| 工作溫度分類(lèi) | Military |
| 漏極效率 | Not Required % |
| 漏源導(dǎo)通電壓 | 55 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 刪除 | Compliant |
AUIRF3205ZS IRF3205ZS TO263實(shí)物拍攝貼片場(chǎng)效應(yīng)MOSFET 全新現(xiàn)貨
產(chǎn)品二維碼| 參 考 價(jià): | 面議 |
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 產(chǎn)品型號(hào)：AUIRF3205ZS
- 品牌：
- 產(chǎn)品類(lèi)別：其他
- 所在地：
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