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深圳市遠(yuǎn)成共創(chuàng)電子科技有限公司

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ROHM/羅姆 RQ3L050GNTB MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：RQ3L050GNTB
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-29 11:59:52
  • 瀏覽次數(shù)：4
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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：531條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-06-29
  • 最近登錄：2023-06-29
  • 聯(lián)系人：張先生
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

技術(shù)參數(shù)品牌：ROHM/羅姆型號(hào)：RQ3L050GNTB批號(hào)：21+封裝：HSMT83

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ROHM/羅姆
型號(hào)：RQ3L050GNTB
批號(hào)：21+
封裝：
數(shù)量：12000
QQ：
制造商：ROHM Semiconductor
產(chǎn)品種類：MOSFET
技術(shù)：詳細(xì)信息
安裝風(fēng)格：Si
封裝 / 箱體：SMD/SMT
晶體管極性：HSMT-8
通道數(shù)量：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：1 Channel
Id-連續(xù)漏極電流：60 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：12 A
Vgs - 柵極-源極電壓：43 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓：20 V
Qg-柵極電荷：1 V
工作溫度： nC
Pd-功率耗散：+ 150 C
通道模式： W
封裝：Enhancement
封裝：Cut Tape
封裝：MouseReel
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