技術參數
| 品牌： | Infineon/英飛凌 |
| 型號： | IRFR15N20DTRPBF |
| 封裝： | DPAK |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 14000 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| 通道數量： | 1 Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 200 V |
| Id-連續漏極電流： | 17 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 165 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 5.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 27 nC |
| 最小工作溫度： | - 55 C |
| 工作溫度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 140 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降時間： | 8.9 ns |
| 正向跨導 - 最小值： | 4 S |
| 高度： | 2.3 mm |
| 長度： | 6.5 mm |
| 上升時間： | 32 ns |
| 晶體管類型： | 17 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 9.7 ns |
| 典型接通延遲時間： | 6.22 mm |
| 寬度： | IRFR15N20DTRPBF SP001555046 |
| 零件號別名： | 330 mg |
所有評論僅代表網友意見，與本站立場無關。