技術參數
| 品牌： | Infineon/英飛凌 |
| 型號： | IPD70R900P7SAUMA1 |
| 封裝： | TO-252-2(DPAK) |
| 批次： | 21+ |
| 數量： | 52500 |
| 制造商： | Infineon |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技術： | Si |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | TO-252-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 700 V |
| Id-連續漏極電流： | 6 A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 740 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 16 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2.5 V |
| Qg-柵極電荷： | 6.8 nC |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 30.5 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商標名： | CoolMOS |
| 高度： | 2.3 mm |
| 長度： | 6.5 mm |
| 系列： | CoolMOS P7 |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel |
| 寬度： | 6.22 mm |
| 商標： | Infineon Technologies |
| 下降時間： | 31 ns |
| 濕度敏感性： | Yes |
| 產品類型： | MOSFET |
| 上升時間： | 4.7 ns |
| 工廠包裝數量： | 2500 |
| 子類別： | MOSFETs |
| 典型關閉延遲時間： | 58 ns |
| 典型接通延遲時間： | 12 ns |
| 零件號別名： | IPD70R900P7S SP001491638 |
| 單位重量： | 340 mg |
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