網絡信息箱目前構成光纖的材料是SiO2,大多數光纖通常被拉成125μm的細絲。從理論上推算,光纖的抗張強度可達20GPa。但實際上由于光纖內部的氣泡、微粒、雜質等影響,抗張強度只有0.1~0.2GPa。但是光纖加上涂覆層后抗張強度極大增強。通常情況下,光纖的特性受溫度影響不大,但是在溫度很低時,損耗隨溫度降低而增加,尤其是在溫度非常低時,損耗急劇增加,所以高寒地區工作的光纜應注意到這個產生這種現象的原因是光纖的熱脹冷縮。構成光纖的石英材料(SO2)的熱膨脹系數很小,在溫度降低時幾乎不收縮。而光纖在成纜過程中必須經涂覆和加上一些其他構件,涂覆材料及其他構件的膨脹系數較大,當溫度降低時,收縮比較嚴重,所以當溫度變化時,材料的膨脹系數不同,將使光纖產生微彎,尤其表現在低溫區。

網絡信息箱細節圖片：

網絡信息箱產品介紹

目前ITUT建議定義了5種單模光纖G.652、G.653、G.654、GG.652和G.655是目前光纖通信工程中泛使用的單模光纖(1)G.652光纖56,其中G.652光纖的特點是:其設計的工作波長在1310m附近,也可以用于1550gm波段。G2光纖細分為4個子類G.652光纖的性能特點的實質,國家標準將G.652光纖分為兩大類:標準單模光纖(G.652A652A、G.652B、C52C和G652D光纖。按照和G.652B)和波長擴展單模光纖(G.652C、G.652D)標準單模光纖(G.652A、G.652B)又稱為常規單模光纖,于1983年開始商用。標準單模光纖的性能特點是:①在1310mm波長的色散為零;②在波長為1550nm附近衰減系數最小約為0.22dB/km,但在1550m附近其具有色散系數為18m20ps/mkm,傳輸距離被限制在70~80km之間;③這種光纖工作波長既可選在1310mm波長區域,又可選在1550m波長區域,它的工作波長在1310mm區域。

網絡信息箱特點

這種光纖常稱為標準單模光纖( Standard Single Mode Fiber,SSMF)或稱為常規單模光纖。它是當前廣泛使用的光纖。否波長擴展單模光纖(G.652C、G,652D)。隨著光波分復用技術的發展,在城域網方面,人們廣泛采用的解決方案是選用數十至上百個復用波長的高密集波分復用技術。,制約標準單模光纖G.652工作波長區窄的原因是1385mm附近高的水吸收峰,在1385nm附近,標準單模G.652光纖中只要含有幾個ppm的氫氧根離子就會產生幾個分貝的衰減。為此,光纖制造商通過改進生產工藝,使G.652光纖在1385nm附近的水吸收峰基本消失,從而研究出了可以在1260~1670mm整個波長范圍工作的新型G.652光纖。由于這種新型G.652光纖的工作波長比常規單模光纖工作波長要寬得多,所以人們將其稱為波長擴展單模光纖(全譜光纖),即G.652C光纖、G.652D光纖。波長擴展單模光纖完夠滿足城域網粗波分復用技術發展的需要。

網絡信息箱結構

光纖通信系統所用的光源是半導體材料,因此本章從半導體的能帶理論開始分析。原子是由原子核和核外繞固定軌道旋轉的電子組成,因為每個軌道對應著一個固定的值,所以這些原子所擁有的能量值是離散的。半導體是由緊密排列的原子組成的一種固態物質,鄰近原子中的電子被原子間的引力結合,將發生不同程度的交疊,原子間的影響將表現出來。原來圍繞一個原子運動的電子,現在可能轉移到鄰近原子的同一軌道上去,晶體中的電子不再屬于個別原子所有,它們一方面圍繞每個原子運動,同時又要在原子之間作共有化運動,半導體的主要特征是它們的內部原子有規則地、周期性地排列著。作共有化運動的電子受到周期性排列著的原子的作用,它們的勢能具有晶格的周期性。因此,晶體的能譜在原子能級的基礎上按共有化運動的不同而分裂成若干組。

網絡信息箱應用

雖然在半導體中能級還是離散的但是每組中能級彼此靠得很近,組成有一定寬度的帶。人們把這些組想象為很寬的、連續的能量區,稱為能帶,如圖4-1-2所示由于內層電子態之間的交疊小,原子間的影響弱,分成的能帶比較窄;而外層電子態之間的交疊大,能帶分裂的比較寬,對其他原子有較大影響,所以物質的性質主要由最外層電子決定。鍺、硅、鎵、砷、銦等一些重要的半導體材料,都是典型的共價晶體。在共價晶體中,每個原子最外層的電子和鄰近原子形成共價鍵,整個晶體就是通過這些共價鍵把原子聯系起來在半導體物理中,通常把這種形成共價鍵的價電子所占據的能帶稱為價帶價帶的能量較低,比價帶能量高的能帶稱為導帶。能量處于價帶和導帶之間的成分不能被電子占據,這個成分稱為禁帶,它將價帶和導帶分隔開,當一個受激電子從一個高能帶向一個低能導帶帶躍遷時,發出一個光子。

同樣的道理也適用于費米能級半導體,如果一個受激電子從導帶向價帶躍遷時,它釋放的光子的能量EP大于或等于禁帶的能量Ex。由于在價帶和導帶之間不是一個而是多個能級參與輻射過程,所以半導體發射的光存圖413本征半導體的能帶分布在一定的光譜寬度半導體PN結的形成通常,在半導體材料中摻雜其他原子。如果在半導體材料中摻雜負電荷的載體以產生大量的電子,這種半導體被稱為N型半導體;摻雜的是正電荷的載體以產生大量的空穴,則稱為P型半導體。在P型半導體中存在大量帶正電的空穴,同時還存在著等量的帶負電的電離受主,它們的電性相互抵消而表現出電中性。同樣,在N型半導體中,帶負電的電子和等量的帶正電荷的電離施主在電性上也相互抵消。當一個P型半導體和一個N型半導體有了物理接觸時,就形成一個PN結。

在結的交界面處,載流子的濃度差引起擴散運動,P區自建場空間電荷區一=N的空穴向N區擴散,剩下帶負電的電離受主,從而在靠近PN結界面的區域形成eeO9db帶負電的區域。同樣,N區的電子向P區擴3a⊙⊙0d日散,剩下帶正電的電離施主從而造成一個帶e°oo由正電的區域。載流子擴散運動的結果形成了個空間電荷區,如在空間電荷區里,電場的方向由N區指°擴散電子向P區,這個電場稱為自建電場。在自建電場的作用下,載流子將產生漂移運動,漂移運動的方向正好與擴散運動相反。開始時,擴PN結的形成散運動占優勢,但隨著自建場的加強,漂移運動也不斷加強,最后漂移運動抵消了擴散運動,達到動態平衡狀態。因此,當不加外電壓時,PN結是處于動態平衡狀態,宏觀上沒有電流流過。

當PN結加上正向電壓時,外加電壓的電場方向正好和自建場的方向相反,因而削弱了自建場,打破了原來的動態平衡。這時,擴散運動超過了漂移運動,P區的空穴將通過PN結源源不斷地流向N區,N區的電子也流向P區,形成正向電流。由于P區的空穴和N區的電子都很多,所以這股正向電流是大電流。當PN結加反向電壓時,外電場的方向和自建場相同,多數載流子將背離PN結的交界面移動,使空間電荷區變寬。空間電荷區內電子和空穴都很少,它變成高阻層,因而反向電流非常小。這就是為什么PN結具有單向導電性。e3,同質結和異質結早期研制的半導體激光器和發光二極管一般采用同質結構。所謂同質結就是在PN結的兩邊使用相同的半導體材料采用同質結結構的激光器或發光二極管存。