P溝道 Si MOSFET NDP6020P, 24 A, Vds=20 V, 3針 TO-220封裝
| 通道類型 | P |
| 大連續漏極電流 | 24 A |
| 大漏源電壓 | 20 V |
| 大漏源電阻值 | 80 mΩ |
| 小柵閾值電壓 | 0.4V |
| 大柵源電壓 | ±8 V |
| 封裝類型 | TO-220 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 通道模式 | 增強 |
| 大功率耗散 | 60 W |
| 低工作溫度 | -65 °C |
| 典型接通延遲時間 | 15 ns |
| 晶體管材料 | Si |
| 尺寸 | 10.67 x 4.7 x 16.3mm |
| 高工作溫度 | +175 °C |
| 高度 | 16.3mm |
| Board Level Components | Y |
| 長度 | 10.67mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 4.7mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 25 nC @ -5 V |
| 典型關斷延遲時間 | 120 ns |
| 典型輸入電容值@Vds | 1590 pF@ -10 V |
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