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深圳市創(chuàng)捷思電子有限公司

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IRLR3636 IRLR3636TRPBF LR3636 場(chǎng)效應(yīng)功率管N溝道 99A60V TO252

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):￥ 30.5
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：IRLR3636
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類(lèi)別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-06-14 20:22:19
  • 瀏覽次數(shù)：7
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  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：795條
  • 所在地區(qū)：
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  • 最近登錄：2023-06-14
  • 聯(lián)系人：范釗偉
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

N溝道SiMOSFETIRLR3636TRPBF,99A,Vds=60V,3針DPAK封裝 通道類(lèi)型N大連續(xù)漏極電流99A大漏源電壓60V大漏源電阻值8

詳情介紹



N溝道 Si MOSFET IRLR3636TRPBF, 99 A, Vds=60 V, 3針 DPAK封裝

通道類(lèi)型N
大連續(xù)漏極電流99 A
大漏源電壓60 V
大漏源電阻值8.3 mΩ
大柵閾值電壓2.5V
小柵閾值電壓1V
大柵源電壓±16 V
封裝類(lèi)型DPAK
安裝類(lèi)型表面貼裝
引腳數(shù)目3
晶體管配置單
通道模式增強(qiáng)
類(lèi)別功率 MOSFET
大功率耗散143 W
晶體管材料Si
典型接通延遲時(shí)間45 ns
典型輸入電容值@Vds3779 pF @ 50 V
高工作溫度+175 °C
寬度6.22mm
每片芯片元件數(shù)目1
低工作溫度-55 °C
系列HEXFET
Board Level ComponentsY
典型柵極電荷@Vgs49（ 大）nC @ 4.5 V
高度2.39mm
長(zhǎng)度6.73mm
典型關(guān)斷延遲時(shí)間43 ns
尺寸6.73 x 6.22 x 2.39mm
通道類(lèi)型N
大連續(xù)漏極電流99 A
大漏源電壓60 V
大漏源電阻值8.3 mΩ
大柵閾值電壓2.5V
小柵閾值電壓1V
大柵源電壓±16 V
封裝類(lèi)型DPAK
安裝類(lèi)型表面貼裝
引腳數(shù)目3
晶體管配置單
通道模式增強(qiáng)
類(lèi)別功率 MOSFET
大功率耗散143 W
晶體管材料Si
典型接通延遲時(shí)間45 ns
典型輸入電容值@Vds3779 pF @ 50 V
高工作溫度+175 °C
寬度6.22mm
每片芯片元件數(shù)目1
低工作溫度-55 °C
系列HEXFET
Board Level ComponentsY
典型柵極電荷@Vgs49（ 大）nC @ 4.5 V
高度2.39mm
長(zhǎng)度6.73mm
典型關(guān)斷延遲時(shí)間43 ns
尺寸6.73 x 6.22 x 2.39mm

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