N溝道 Si MOSFET IRF520NPBF, 9.7 A, Vds=100 V, 3針 TO-220AB封裝
N 通道功率 MOSFET 100V
系列分離式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道設備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數可解決大多數板布局和熱設計挑戰問題。 在整個范圍內，基準導通電阻減少了傳導損耗，讓設計人員可以提供 佳系統效率。
MOSFET 晶體管
提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類 佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 通道類型 | N |
| 大連續漏極電流 | 9.7 A |
| 大漏源電壓 | 100 V |
| 大漏源電阻值 | 200 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 4V |
| 小柵閾值電壓 | 2V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | TO-220AB |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數目 | 3 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 48 W |
| 典型接通延遲時間 | 4.5 ns |
| 晶體管材料 | Si |
| 寬度 | 4.69mm |
| 尺寸 | 10.54 x 4.69 x 8.77mm |
| 長度 | 10.54mm |
| 高工作溫度 | +175 °C |
| 高度 | 8.77mm |
| Board Level Components | Y |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型關斷延遲時間 | 32 ns |
| 典型輸入電容值@Vds | 330 pF@ 25 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 25 nC @ 10 V |
| 低工作溫度 | -55 °C |
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