P溝道 Si MOSFET IRFU9024NPBF, 11 A, Vds=55 V, 3針 IPAK封裝
| 通道類型 | P |
| 大連續漏極電流 | 11 A |
| 大漏源電壓 | 55 V |
| 大漏源電阻值 | 175 mΩ |
| 大柵閾值電壓 | 4V |
| 小柵閾值電壓 | 2V |
| 大柵源電壓 | ±20 V |
| 封裝類型 | IPAK |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 晶體管配置 | 單 |
| 引腳數目 | 3 |
| 通道模式 | 增強 |
| 類別 | 功率 MOSFET |
| 大功率耗散 | 38 W |
| 典型關斷延遲時間 | 23 ns |
| 典型輸入電容值@Vds | 350 pF @ 25 V |
| 典型柵極電荷@Vgs | 19 nC @ 10 V |
| 低工作溫度 | -55 °C |
| 典型接通延遲時間 | 13 ns |
| 晶體管材料 | Si |
| 寬度 | 2.39mm |
| 長度 | 6.73mm |
| 高工作溫度 | +150 °C |
| 系列 | HEXFET |
| 高度 | 6.22mm |
| Board Level Components | Y |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 尺寸 | 6.73 x 2.39 x 6.22mm |
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