UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高電壓 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有 小通態電阻，還提供的切換性能和較高雪崩能量強度。 此外，內部柵極-源極 ESD 二極管讓 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超過 2000V HBM 浪涌應力。
UniFET™ MOSFET 適用于開關電源轉換器應用，如功率因數校正 (PFC)、平板顯示屏 (FPD) 電視電源、ATX（*技術擴展）和電子燈鎮流器。

MOSFET 晶體管，Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 設備組合，包括高電壓 (>250V) 低電壓 (<250V) 類型。 *的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業標準和耐熱增強型封裝中。
Fairchild MOSFET 通過降低電壓峰值和過沖提供的設計可靠性，以減少結電容和反向恢復電荷，無需額外外部元件即可保持系統啟動和運行更長時間。