產品簡介
技術參數品牌：Qorvo型號：QPD1006批號：18+封裝：SMD數量：2000QQ：制造商：Qorvo產品種類：射頻結柵場效應晶體管(RFJFET)晶體管RoHS：是晶體管類型：HEMT技術：GaNSiC增益：17
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | Qorvo |
| 型號： | QPD1006 |
| 批號： | 18+ |
| 封裝： | SMD |
| 數量： | 2000 |
| QQ： | |
| 制造商： | Qorvo |
| 產品種類： | 射頻結柵場效應晶體管(RF JFET)晶體管 |
| RoHS： | 是 |
| 晶體管類型： | HEMT |
| 技術： | GaN SiC |
| 增益： | dB |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Id-連續漏極電流： | 14 A |
| 輸出功率： | 450 W |
| 漏極/柵極電壓： | 145 V |
| 最小工作溫度： | - 40 C |
| 工作溫度： | + 85 C |
| Pd-功率耗散： | 445 W |
| 安裝風格： | SMD/SMT |
| 封裝 / 箱體： | NI-50CW |
| 應用： | Civilian and Military Radar |
| 配置： | Single |
| 工作頻率： | GHz to GHz |
| 商標： | Qorvo |
| 開發套件： | QPD1006EVB3 |
| 濕度敏感性： | Yes |
| 產品類型： | RF JFET Transistors |
| 工廠包裝數量： | 36 |
| 子類別： | Transistors |
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