技術(shù)參數(shù)
| 品牌: | Qorvo |
| 型號(hào): | T1G4020036-FS |
| 批號(hào): | 19+ |
| 封裝: | SMD |
| 數(shù)量: | 200 |
| QQ: | |
| 制造商: | Qorvo |
| 產(chǎn)品種類: | 射頻結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(RF JFET)晶體管 |
| RoHS: | 是 |
| 晶體管類型: | HEMT |
| 技術(shù): | GaN SiC |
| 增益: | 16 dB |
| 晶體管極性: | N-Channel |
| 輸出功率: | 260 W |
| 封裝 / 箱體: | NI-650 |
| 封裝: | Tray |
| 工作頻率: | GHz |
| 類型: | GaN SiC HEMT |
| 商標(biāo): | Qorvo |
| 濕度敏感性: | Yes |
| 產(chǎn)品類型: | RF JFET Transistors |
| 工廠包裝數(shù)量: | 25 |
| 子類別: | Transistors |
| 零件號(hào)別名: | 1111631 |




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