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當(dāng)前位置：成都宏芯微科技有限公司>> QPD1025QPD1025 Transistor RF GaN GaAs FET 放大器 功放 功率放大器PA 雷達 衛(wèi)星 導(dǎo)航 航空 航天 定制 5G 微波芯片 微波射頻器件 CRE

QPD1025 Transistor RF GaN GaAs FET 放大器 功放 功率放大器PA 雷達 衛(wèi)星 導(dǎo)航 航空 航天 定制 5G 微波芯片 微波射頻器件 CRE

產(chǎn)品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：QPD1025
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時間：2023-06-07 08:32:19
  • 瀏覽次數(shù)：7
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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：994條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時間：2023-06-06
  • 最近登錄：2023-06-06
  • 聯(lián)系人：余洪
  • 電    話：13348852772

產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：Qorvo型號：QPD1025批號：18+封裝：SMD數(shù)量：2000QQ：制造商：Qorvo產(chǎn)品種類：射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RFMOSFET)晶體管RoHS：是晶體管極性：DualN-Channel技術(shù)：GaN-on-SiCId-連續(xù)漏極電流：28AVds-漏源極擊穿電壓：65V工作頻率：1GHzto1

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：Qorvo
型號：QPD1025
批號：18+
封裝：SMD
數(shù)量：2000
QQ：
制造商：Qorvo
產(chǎn)品種類：射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
RoHS：是
晶體管極性：Dual N-Channel
技術(shù)：GaN-on-SiC
Id-連續(xù)漏極電流：28 A
Vds-漏源極擊穿電壓：65 V
工作頻率：1 GHz to GHz
增益： dB
輸出功率： kW
最小工作溫度：- 40 C
工作溫度：+ 85 C
封裝 / 箱體：NI-1230-4
封裝：Tray
系列：QPD1025
類型：RF Power MOSFET
商標(biāo)：Qorvo
通道數(shù)量：2 Channel
濕度敏感性：Yes
Pd-功率耗散：685 W
產(chǎn)品類型：RF MOSFET Transistors
工廠包裝數(shù)量：18
子類別：MOSFETs
Vgs - 柵極-源極電壓：- V
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