化學成分編輯碳C：≤0.20硅Si：≤0.30錳Mn：0.30～0.70硫S：≤0.045磷P：≤0.045鉻Cr：允許殘余含量≤0.30鎳Ni：允許殘余含量≤0.3激光燒結，由美國德克薩斯大學分校的C.R.Dechard于1989年研制成功。另外一些元素(如C、N、Cu等),雖然擴大γ相區,但不能擴大到室溫,故稱之為部分擴大γ相區的元素。5.FDM（FusedDepostionModeling）工藝熔融沉積制造（FDM）工藝由美國學者ScottCrump于1988年研制成功。
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化學成分編輯碳C：≤0.20硅Si：≤0.30錳Mn：0.30～0.70硫S：≤0.045磷P：≤0.045鉻Cr：允許殘余含量≤0.30鎳Ni：允許殘余含量≤0.3激光燒結，由美國德克薩斯大學分校的C.R.Dechard于1989年研制成功
化學成分編輯碳C：≤0.20硅Si：≤0.30錳Mn：0.30～0.70硫S：≤0.045磷P：≤0.045鉻Cr：允許殘余含量≤0.30鎳Ni：允許殘余含量≤0.3激光燒結，由美國德克薩斯大學分校的C.R.Dechard于1989年研制成功。另外一些元素(如C、N、Cu等),雖然擴大γ相區,但不能擴大到室溫,故稱之為部分擴大γ相區的元素。5.FDM（FusedDepostionModeling）工藝熔融沉積制造（FDM）工藝由美國學者ScottCrump于1988年研制成功。
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