鎳合金納米網格膜是公司不斷研發的成果，采用納米合金線導電印刷工藝的創 新原則，引進蝕刻網格技術，配以顯示器優化模式，使得納米網格膜成為視窗和觸摸屏屏蔽 的 選擇。
此文件列明了 代鐐合金同 代銅納米網格及早期的蝕刻網格膜的性能特點
1.0網格規格
線間距為143卩n】(I65OPI)是電子顯示器的 間距，是3款產品的 規格。改進的第 二代透明納米網格膜的扇形孔徑改善了莫代爾條紋，同時較細的線寬使得開孔面積更大，透 光率更好。
代鐐合金納米網格 屏蔽膜SSP165
代鐐合金納米網格 屏蔽膜SSP100
納米網格屏蔽膜
MT85
線間距/網格 線寬
透光率
200卩m / lOOopi
17卩m/0.0005"
76%
80%
255pm / 85opi
21卩m/0.0007"
81%
表觀
2.0光學性能
配有 代鐐合金納米網格屏蔽膜的視窗更明亮，可以在所有條件下可讀。除了增加透明度, 且無漫反射。與蝕刻網格膜中曝露的銅比，即使在陽光下也可讀。
代鐐合金納米網格 屏蔽膜SSP165 | 代鐐合金納米網格 屏蔽膜SSP100 | 納米網格屏蔽膜 MT85 | |
透過率 | N76% | 380% | N81 |
漫反射@45° | — | — | W0.37% |
鏡面反射率@45° | W1.2% | W0.7% | W0.7% |
3.0電學性能
代鐐合金納米網格屏蔽膜表面方阻均勻，在常規的測試中的屏衰減
（EMI屏效衰減）
代鐐合金納米網格 屏蔽膜SSP165 | 代鐐合金納米網格 屏蔽膜SSP100 | 納米網格屏蔽膜 MT85 | |
方阻 | W0.090sq | WO.lOQsq | WO.llQsq |
EMI屏蔽衰減(SSP100)
4.0結構
光蝕刻工.藝導電網格生產工藝導致孔徑擴散，需要二次層壓復合，以獲得光學透明度， 代鐐合金納米網格膜釆用孔徑沉積工藝， 對全光學層復合的要求。
光學透明膠,->
PET基材 I ■>
鐐合金導電線 < >
5.格式
代鐐合金納米網格 屏蔽膜SSP165 | 代鐐合金納米網格 屏蔽膜SSP100 | 納米網格屏蔽膜 MT85 | |
標準偏角 | 36° +/-1° | 36° +/-1° | 36° +/-2° |
總厚度 | 125卩m | 125卩m | !50|im |
壓敏膠（可選） | 25卩m | 25pm | 25pm |
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