我們知道磁鐵產生的磁場容易對一些磁敏原件造成干擾，導致原件無法正常工作，從而影響設備的整體性能，這時候我們需要一款能夠屏蔽永磁鐵磁場的材料來對磁鐵的干擾來進行屏蔽，這是對磁鐵干擾 快捷的屏蔽解決方案了。

我公司從事研發生產能夠屏蔽磁鐵干擾的一種高性能材料，它可以隔離磁鐵的一面不輻射磁場，也可以包裹整個磁體實現磁場的屏蔽，都知道磁鐵在從N極走向S極的閉合磁場循環中磁場容易不受限制的在磁鐵的周圍進行輻射，這時候想要屏蔽這種輻射需要一種特殊的磁鐵屏蔽材料來解決，通過把磁場束縛在一定范圍防止在不需要的地方產生磁場或者磁吸力。

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GMR傳感器作為一種靈敏度非常高的磁性傳感器，可以預見未來的廣泛應用。但用戶極其關心的一個問題是抗磁干擾問題。為解決此問題有多種方案，但 主要的是磁屏蔽，以下是關于磁屏蔽的相關論述。（資料主要來源：The MuShield Company,Inc. 僅供參考，不負相關責任。）

如果你要設計自己的磁屏蔽系統，你會發現以下的信息是很有用的。

磁屏蔽目的：通常是保護電子線路免于受到諸如永磁體、變壓器、電機、線圈、電纜等產生磁場的干擾，當然屏蔽強的磁干擾源使它免于干擾附近的元器件功能也是一個重要的應用目的。 磁屏蔽材料參數及材料劃分：磁屏蔽體由磁性材料制成，衡量材料導磁能力的參數是磁導率，通常以數字來表示相對大小。真空磁導率為1，屏蔽材料的磁導率從200到350000；磁屏蔽材料的另一個重要參數是飽和磁化強度。磁屏蔽材料一般分為三類，即高導磁材料、中導磁材料和高飽和材料。

高飽和磁導率材料的磁導率在80000-350000之間，經熱處理后其飽和場可達7500Gs；中磁導率材料通常和高導材料一起使用，其磁導率值從12500-150000，飽和場15500Gs；高飽和場的磁導率值為200-50000，飽和場可達18000-21000Gs。

以下是一些常用量的定義：

Gs：磁通密度的單位，相當于每平方厘米面積上有一條磁力線通過。

磁通量：由磁場產生的所有磁力線的總和。
飽和磁場：即材料磁感應強度漸趨于一恒定值時對應的磁場。

B：屏蔽體中的磁通密度，單位Gs。

d：屏蔽體直徑（注：當屏蔽體為矩形時指 長邊的尺寸）。

Ho：外場強度，單位Oe。

μ：材料磁導率。

A：衰減量（相對值）。

t：屏蔽體厚度。

磁場強度：屏蔽體中磁場強度估算用下面公式： B=2.5dHo/2t（Gs）

如用厚度為0.060″的材料制成直徑為1.5″的屏蔽體，在80Gs的磁場中其內部磁場為2500Gs。

屏蔽體厚度：用以下公式估算： t=Ad/μ（英寸）

如用磁導率為80000的材料制成直徑為1.5″的屏蔽體，當要求實現1000/1的衰減量時，屏蔽體的厚度為 t=1000×1.5/80000=0.019″
厚度設計還應綜合考慮性價比的因素，一般屏蔽材料的磁導率應不低于80000，否則就要增加厚度以達到同樣的屏蔽效果，則會導致費用的增加。
當場強很強時，厚度的選取應使材料工作于磁導率 的場強下。如當材料的磁導率在場強為2300-2500Gs時磁導率 ，則所需厚度為 t=1.25dHo/B（英寸）
如直徑1.5″，長度6″的屏蔽體置于80Gs的磁場中，所需的厚度是0.060″。

磁場衰減率：用下式估算： A=μt/d

用此式對上面的數據計算可得到，當材料磁導率為350000時，其衰減率為14000。