產品簡介
技術參數品牌：ST型號：STW34NM60N數量：20000制造商：STMicroelectronics產品種類：MOSFETRoHS：是安裝風格：ThroughHole封裝/箱體：TO-247-3通道數量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：600VId-連續漏極電流：31
詳情介紹
技術參數
| 品牌： | ST |
| 型號： | STW34NM60N |
| 數量： | 20000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 產品種類： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安裝風格： | Through Hole |
| 封裝 / 箱體： | TO-247-3 |
| 通道數量： | 1 Channel |
| 晶體管極性： | N-Channel |
| Vds-漏源極擊穿電壓： | 600 V |
| Id-連續漏極電流： | A |
| Rds On-漏源導通電阻： | 105 mOhms |
| Vgs - 柵極-源極電壓： | 10 V |
| Vgs th-柵源極閾值電壓： | 2 V |
| Qg-柵極電荷： | 84 nC |
| 工作溫度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 250 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | STW34NM60N |
| 晶體管類型： | 1 N-Channel Power MOSFET |
| 下降時間： | 73 ns |
| 上升時間： | 36 ns |
| 典型關閉延遲時間： | 104 ns |
| 典型接通延遲時間： | 18 ns |
| 單位重量： | 38 g |
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