薄膜及塊體塞貝克（seebeck） 系數和電阻率檢測 嘉儀通 熱電參數測試系統Namicro-Ⅲ

   本儀器采用準動態法（具有技術）和四探針法分別測量樣品的 seebeck 系數和電阻率。不僅可用于測量半導體塊狀樣品，康銅、鎳、鉍等金屬半金屬樣品，石墨、碳材料等非金屬樣品的seebeck 系數和電阻率，還可測薄膜（納米）樣品的 seebeck 系數和電阻率。

優勢

擁有獨立知識產權，獲得多項技術；

動態法測量 seebeck 系數，避免了傳統靜態測量法在溫差測量方面的系統誤差，測量更準確；

seebeck 系數和電阻率測量不共用電壓探針，避免出現微型熱電偶斷裂失效的問題；

采用雙向加熱系統；

自動斷電保護；

附有薄膜附件（無需主機，直接使用），可直接測量膜材料常溫下的 seebeck 系數和電阻率。

特點

硬件設計 
1.動態法測量塞貝克系數，避免了靜態測量法在溫差測量方面的系統誤差，測量更準確。 
2.塞貝克系數測試采用雙向加熱技術，可實現雙向加熱動態測量。 
3.電阻率測量和塞貝克系數測量不共用電壓探針，避免了當前其它產品經常會出現的微型熱電偶斷裂失效的問題。 

軟件設計 
1.界面友好，操作方便。可實時顯示采集數據、測試狀態以及測試結果。
2.高度自動化。既可以全自動測量，也支持半自動和手動采集測量。全自動測試時，只需設置起始溫度、終了溫度以及測試步長三個值即可，溫度曲線設置大為簡化。 
3.數據采集處理實時顯示，通過軟件讀取數據文件可一目了然地查看測量數據質量。 
4.測試結果存儲在以測試者名字命名的文件夾內、文件名涵蓋樣品以及測試時間信息，數據查看一目了然。數據存儲為“.  txt"格式，可以和各種辦公軟件如 Excel、Origin 等數據共享。

技術參數

注：對于薄膜樣品，目前只能測常溫下的 seebeck 系數與電阻率，故無需真空與 PID 程序控制。

樣品要求

塊體：可直接切割加工處理，完成加工后具備平整上下端即可，其尺寸滿足前述長寬高要求的長方體

  若樣品表面有腐蝕或氧化等雜質層覆蓋，需對樣品表面進行拋光處理，使材料裸露出來且保證接觸良好

薄膜：滿足上述尺寸要求， 待測面平整， 薄膜均勻性好， 保證與康銅片接觸良好， 厚度zui低可至 100nm，其均勻性有較高要求，薄膜厚度達到微米級較好

  薄膜材料的襯底需選擇電阻率較大或絕緣材料為宜，如玻璃、Si 等材料

測試樣例